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ANDL_[Advanced Nanomaterals and Devices Lab]_충남대학교 재료공학과

 

 

 

24. 현대자동차 밧데리 특허,

23.
김현석, 양대규, 김형도, “IGZO 박막 트랜지스터의 제조방법 및 그에 의해 제조된 IGZO 박막 트랜지스터”, Korea 2017-0139559 (출원일자: 2017/10/25).

 

22. 김현석, 양대규, 김양수, 김형도,한석길, “ECR-PEALD법에 의한 반도체 소자의 절연막 제조방법”, Korea 2016-0175851 (출원일자: 2015/12/31).

 

21. 김현석, 김양수, 김종헌, “박막 트랜지스터 및 그의 제조방법”, Korea 2015-0190918
(
출원일자: 2015/12/31).

20.
김현석, 김양수, 김창선, “인듐 질산화물 박막 트랜지스터, 그 제조방법 및 전자소자”, Korea 2015-0046117 (출원일자: 2015/04/01).

 

19. 김현석, 한승우, 류명관, 박준석, 손경석, “박막 트랜지스터 및 그 제조 방법”, Korea 2013-0169391 (출원일자: 2013/12/31, 공개일자: 2015/07/08).

18.
손경석, 김선재, 김억수, 김현석, 류명관, “이중 게이트 전극을 가진 박막 트랜지스터”, Korea 2013-0143938 (출원일자: 2013/11/25).

17.
박준석, 김태상, 김현석, 류명관, 박영수, 조성호, “이중 채널층을 가진 박막 트랜지스터”, Korea 2013-0143061 (출원일자: 2013/11/22)

16.
박준석, 김태상, 김현석, 류명관, 박영수, 조성호, “징크 옥시나이트라이드 박막 트랜지스터”, Korea 2013-0140554 (출원일자: 2013/11/19).

15.
김태상, 김선재, 김현석, 류명관, 박준석, 서석준, 선종백, 손경석, “반도체 물질과 이를 포함하는 트랜지스터 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자”, Korea 2013-0097345 (출원일자: 2013/11/29, 등록일자: 2016/05/17, 등록번호: 09343534).

14. 박준석, 김태상, 류명관, 박영수, 조성호, 김현석, “금속 질산화물 채널층을 구비한 박막 트랜지스터 및 그 제조방법, 이를 포함하는 디스플레이”, Korea 2013-0094323 (출원일자: 2013/8/8).

13.
김현석, 김선재, 김태상, 류명관, 박준석, 손경석, “박막 트랜지스터 및 그 제조방법”, Korea 2013-0092667 (출원일자: 2013/8/5), United States 14/162,873 (출원일자: 2014/1/24).

12.
류명관, 김태상, 김현석, 박준석, 박영수, “불소를 포함하는 징크 타겟, 이를 이용한 징크 나이트라이드 박막의 제조방법 및 박막 트랜지스터 제조방법”, Korea 2013-0066067 (출원일자: 2013/6/10).

 

11. 김현석, 김선재, 김태상, 류명관, 박준석, 서석준, 선종백, 손경석, 이상윤, “절연막의 형성 방법 및 이를 적용한 박막 트랜지스터 제조 방법”, Korea 2012-0158528 (출원일자: 2012/12/31).

10.
박준석, 김선재, 김태상, 김현석, 류명관, 서석준, 선종백, 손경석, 이상윤, “트랜지스터와 그 제조 방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자”, Korea 2012-0143031 (출원일자: 2012/12/10).

9.
김태상, 김선재, 김현석, 류명관, 박준석, 서석준 선종백, 손경석 “Zn 화합물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터”, Korea 2012-0138508 (출원일자: 2012/11/30).

8.
박준석, 김선재, 김태상, 김현석, 류명관, 서석준, 선종백, 손경석, 이상윤, “질산화물 채널층을 구비한 트랜지스터 및 그 제조방법”, Korea 2012-0071373 (출원일자: 2012/06/29), United States 13/770,007 (출원일자: 2013/2/19).

7.
선종백, 김태상, 김현석, 류명관, 박준석, 서석준, 손경석, 이상윤, “황 도핑 징크옥시나이트라이드 채널층을 가진 트랜지스터 및 그 제조방법”, Korea 2012-0052212 (출원일자: 2012/05/16), United States 13/721,635 (출원일자: 2012/12/20).

6.
손경석, 류명관, 김태상, 김현석, 박준석, 선종백, 이상윤, “트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자”, Korea 2012-0021409 (출원일자: 2012/02/29), United States 13/588,462 (출원일자: 2012/08/17), Europe 13152631.1 (출원일자: 2013/01/25).

 

5. 박준석, 김태상, 김현석, 류명관, 선종백, 손경석, 이상윤, 서석준, “트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자”, Korea 2011-0129910 (출원일자: 2011/12/06), United States 13/550,752 (출원일자: 2012/07/17).

4.
김현석, 김태상, 손경석, 박준석, 선종백, 류명관, 최원묵, 송미정, 이상윤, “트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자”, Korea 2011-0081814 (출원일자: 2011/08/17), United States 13/489,888 (출원일자: 2012/06/06).

 

3. 박경배, 류명관, 이광희, 김태상, 김억수, 손경석, 김현석, 맹완주, 박준석, “트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자”, Korea 2010-0138042 (출원일자: 2010/12/29, 공개일자: 2012/07/09), United States 13/165,301 (출원일자: 2011.06/21, 공개일자: 2012/07/05).

2.
박경배, 김현석, 류명관, 이상윤, 이광희, 김태상, 김억수, 손경석, 맹완주, 박준석, “트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자”, Korea 2010-0074404 (출원일자: 2010/07/30, 공개일자: 2012/03/09), United States 13/064,428 (출원일자: 2011/03/24, 공개일자: 2012/02/02), Europe 11161929.2 (출원일자: 2011/04/11, 공개일자: 2012/02/01), China 201110115503.X (출원일자: 2011/04/29).

 

1. Lei Bi, Gerald F. Dionne, Hyun-Suk Kim, and Caroline A. Ross, Magnetic Material for Magneto-Optical Isolator, United States 12/262,739 (출원일자: 2008/10/31, 공개일자: 2009/05/28, 등록일자: 2011/08/09, 등록번호: US7995893).